[发明专利]贵金属在导电连接器的形成中的使用在审
| 申请号： | 201580080587.4 | 申请日： | 2015-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN107889539A | 公开（公告）日： | 2018-04-06 |
| 发明（设计）人： | C.J.耶泽夫斯基;S.穆克尔杰;D.B.伯格斯特龙;T.K.英杜库里;F.格里焦;R.V.切比亚姆;J.S.克拉克 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 申屠伟进,杜荔南 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在一个实施例中，一种用于微电子组件的导电连接器可以形成有贵金属层，其充当附着/润湿层、设置在屏障衬垫与导电填充材料之间。在另外的实施例中，导电连接器可以具有直接设置在屏障衬垫上的贵金属导电填充材料。贵金属作为附着/润湿层或作为导电填充材料的使用可以改进间隙填充和附着，这可以导致基本上没有空隙的导电连接器，从而相对于没有作为附着/润湿层或导电填充材料的贵金属的导电连接器而改进导电连接器的电气性能。 | ||
| 搜索关键词： | 贵金属 导电 连接器 形成 中的 使用 | ||
【主权项】：
一种导电连接器，包括：导电接合区之上的电介质材料层；穿过电介质材料层延伸到导电接合区的部分的开口；开口的侧壁上和导电接合区上的屏障衬垫；以及屏障衬垫上的贵金属。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
