[发明专利]具有从包括碳化锆或碳化铪的导电层延伸的导线元件的电子器件有效
| 申请号： | 201580074393.3 | 申请日： | 2015-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN107210191B | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | F·杜邦;B·安斯塔特;B·霍约特 | 申请（专利权）人： | 原子能及能源替代委员会;阿勒迪亚公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/06;H01L31/0352;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 高欣 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种电子器件，所述电子器件包括衬底(1)，由Ⅲ族材料的氮化物形成的至少一个半导体导线元件(2)，以及介于衬底(1)与所述至少一个半导体导线元件(2)之间的导电层(3)。所述至少一个半导体导线元件(2)从所述导电层(3)延伸，并且导电层(3)包括锆的碳化物或铪的碳化物。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 包括 碳化 导电 延伸 导线 元件 电子器件 | ||
【主权项】：
一种电子器件，所述电子器件包括衬底(1)，由Ⅲ族材料的氮化物形成的至少一个半导体导线元件(2)以及介于衬底(1)与所述至少一个半导体导线元件(2)之间的导电层(3)，所述至少一个半导体导线元件(2)从所述导电层(3)延伸，其中，导电层(3)包括锆的碳化物或铪的碳化物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
