[发明专利]单晶锭直径的控制系统及控制方法有效
| 申请号： | 201580074232.4 | 申请日： | 2015-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN107208307B | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 金润求;罗光夏;安润河 | 申请（专利权）人： | 爱思开矽得荣株式会社 |
| 主分类号： | C30B15/32 | 分类号： | C30B15/32;C30B29/06;C30B15/20 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 李雪;姚开丽 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施方式涉及一种在使用丘克拉斯基方法生长硅锭时用于控制硅锭的直径偏差的系统，所述系统可以包括：晶种夹头，所述晶种夹头用于支撑与也称为籽晶的晶种结合并生长的硅锭；测量单元，所述测量单元通过缆绳与所述晶种夹头的上表面连接，并被配置用于测量施加到所述晶种夹头上的负载；负载控制单元，所述负载控制单元在所述晶种夹头与缆绳连接的状态下，通过使所述晶种夹头的位置向上或向下移动，用于改变施加到硅锭上的负载；和控制单元，所述控制单元用于根据由所述测量单元测量的负载值驱动所述负载控制单元来控制施加到硅锭上的负载。因此，防止了在进行单晶锭生长时晶种的摇晃，由此可以减小生长的单晶锭的直径偏差。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶锭 直径 控制系统 控制 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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