[发明专利]用于磁性隧穿结器件的超薄垂直钉扎层结构有效
| 申请号： | 201580069847.8 | 申请日： | 2015-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN107112415B | 公开（公告）日： | 2020-02-18 |
| 发明（设计）人： | K·李;J·康;X·朱;M·G·戈特瓦尔德;C·朴;S·H·康 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12;H01F10/32;H01L43/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈炜;袁逸 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种垂直磁性隧道结(MTJ)(600)的合成反铁磁(SAF)基准层(601)的材料堆叠可包括SAF耦合层(606)。该材料堆叠还可包括SAF耦合层上的非晶间隔体层(612)。该非晶间隔体层可包括钽和钴、或者钽和铁、或者钴和铁和钽的合金或多层。该非晶间隔体层还可包括SAF耦合层的经处理表面。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 磁性 隧穿结 器件 超薄 垂直 钉扎层 结构 | ||
【主权项】：
一种垂直磁性隧道结(MTJ)的合成反铁磁(SAF)基准层的材料堆叠，所述材料堆叠包括：SAF耦合层；以及所述SAF耦合层上的非晶间隔体层，其中，所述非晶间隔体层包括包含钽和钴、或者钽和铁、或者钴和铁和钽的合金或多层。
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