[发明专利]第III族氮化物晶体、其制造方法和在超临界氨气中制造块状第III族氮化物晶体的方法有效
| 申请号： | 201580065613.6 | 申请日： | 2015-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN107002278B | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 桥本忠朗 | 申请（专利权）人： | 希波特公司;首尔半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/20 | 分类号： | C30B25/20;C30B29/40 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 章蕾 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在一个例子中，本发明提供一种第III族氮化物晶体，其具有暴露单晶或高度定向多晶第III族氮化物的氮极性c平面的第一侧面和暴露第III族氮化物的第III族极性表面多晶相或非晶相的第二侧面。此类结构适用作用于块状第III族氮化物晶体的氨热生长的晶种。本发明还公开制造此类晶体的方法。本发明还公开使用此类晶体通过氨热方法制造第III族氮化物块状晶体的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 第III族氮化物晶体 第III族氮化物 制造 多晶 氨气 极性表面 块状晶体 侧面 第III族 超临界 氮极性 非晶相 晶体的 热生长 暴露 单晶 晶种 | ||
【主权项】：
1.一种第III族氮化物晶体，其包含，(a)具有切割错误角度小于+/‑5度的暴露的氮极性c平面的第一侧面，(b)与所述第一侧面相对的具有所述第III族氮化物的暴露的第III族极性c平面表面多晶相或非晶相的第二侧面，其中所述第一侧面的晶体结构质量比所述第二侧面的晶体结构质量好，其中晶体质量从所述第III族氮化物晶体的所述第一侧面向所述第二侧面逐渐劣化。
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