[发明专利]磁传感器及其制造方法以及使用该磁传感器的电流量检测器

摘要

本发明提供一种磁传感器，其具备：基板；与电源端子连接且磁敏方向相同的两个磁阻效应元件；与接地端子连接且磁敏方向相同的两个磁阻效应元件；以及包含第一偏置施加部和第二偏置施加部的偏置线圈，该第一偏置施加部向配置有与电源端子连接的磁阻效应元件的一方以及与接地端子连接的磁阻效应元件的一方的第一区域施加偏置磁场，该第二偏置施加部向配置有与电源端子连接的磁阻效应元件的另一方以及与接地端子连接的磁阻效应元件的另一方的第二区域施加偏置磁场，所述第一偏置施加部的截面积与所述第二偏置施加部的截面积之差为35.4％以下。

主权项

1.一种磁传感器，其特征在于，所述磁传感器具备：基板，其包含一个主面；形成在所述主面上且与全桥电路的电源端子连接的至少两个磁阻效应元件；形成在所述主面上且与所述全桥电路的接地端子连接的至少两个磁阻效应元件；第一区域，其配置有与所述电源端子连接的至少两个磁阻效应元件的一方以及与所述接地端子连接的至少两个磁阻效应元件的一方；第二区域，其配置有与所述电源端子连接的至少两个磁阻效应元件的另一方以及与所述接地端子连接的至少两个磁阻效应元件的另一方；以及偏置线圈，其包括向所述第一区域施加偏置磁场的第一偏置施加部以及向所述第二区域施加偏置磁场的第二偏置施加部，与所述电源端子连接的两个磁阻效应元件的磁敏方向相同，与所述接地端子连接的两个磁阻效应元件的磁敏方向相同，所述第一偏置施加部的截面积与所述第二偏置施加部的截面积之差为35.4％以下，所述偏置线圈还包含偏置线圈迂回部，所述偏置线圈迂回部的截面积大于第一偏置施加部的截面积以及第二偏置施加部的截面积中的任一截面积，所述第一偏置施加部的截面积与所述第二偏置施加部的截面积之差通过如下方式得到：用所述第一偏置施加部的截面积与所述第二偏置施加部的截面积的差值除以所述第一偏置施加部的截面积与所述第二偏置施加部的截面积的平均。