[发明专利]切割膜在审
| 申请号： | 201580062296.2 | 申请日： | 2015-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN107004587A | 公开（公告）日： | 2017-08-01 |
| 发明（设计）人： | 长尾佳典 | 申请（专利权）人： | 住友电木株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;C09J7/02;C09J133/00;C09J201/00 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 李英艳,张永康 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种切割膜用基材膜，其包含基材层和在所述基材层的一主面上配置的表面层，其特征在于，所述基材层含有低密度聚乙烯，所述表面层含有离聚物树脂，所述离聚物树脂的MFR为3g/10min以下，其测定方法为根据JIS K 7210来进行，测定条件为温度190℃、荷重21.18N。并且，提供一种在所述切割膜用基材膜的表面层侧的主面上设置有粘接层的切割膜及使用该切割膜的刀切割方法。 | ||
| 搜索关键词： | 切割 | ||
【主权项】：
一种切割膜用基材膜，其包含基材层和在所述基材层的一主面上配置的表面层，其特征在于，所述基材层含有低密度聚乙烯，所述表面层含有离聚物树脂，所述离聚物树脂的MFR为3g/10min以下，测定方法为根据JIS K 7210来进行，测定条件为温度190℃、荷重21.18N。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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