[发明专利]等离子体处理装置与系统以及控制离子束的方法有效
| 申请号： | 201580059947.2 | 申请日： | 2015-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN107078010B | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 科斯特尔·拜洛;彼得·F·库鲁尼西;泰勒·洛克威尔;克里斯多夫·坎贝尔;维克拉姆·辛;史费特那·瑞都凡诺 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | H01J37/08 | 分类号： | H01J37/08;H01J37/317;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马爽;臧建明 |
| 地址： | 美国麻萨诸塞*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种等离子体处理装置与系统以及控制离子束的方法，该装置包括：萃取板沿等离子体室的一侧配置，萃取板具有第一及第二孔洞，以及第一及第二孔洞之间的中间部分，第一及第二孔洞用以在等离子体存于等离子体室中且萃取电压施加于萃取板与基板之间时定义第一及第二离子束；隐藏偏向电极配置于等离子体室外邻近中间部分处，且电性绝缘于萃取板；以及隐藏偏向电极电源用以施加偏压至隐藏偏向电极，其中偏压用以修改第一及第二离子束中离子的入射平均角和/或围绕入射平均角的入射角范围。本发明的等离子体处理装置能对离子角分布作出更进一步的控制。 | ||
| 搜索关键词： | 隐藏 偏向 电极 离子束 离子 角分布 控制 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：萃取板，沿等离子体室的侧配置，所述萃取板具有第一孔洞、第二孔洞以及所述第一孔洞及所述第二孔洞之间的中间部分，所述第一孔洞及所述第二孔洞用以在等离子体存在于所述等离子体室中且萃取电压施加于所述萃取板与基板之间时定义第一离子束及第二离子束；隐藏偏向电极，配置于所述等离子体室外邻近所述中间部分处，且电性绝缘于所述萃取板；以及隐藏偏向电极电源，用以施加偏压至所述隐藏偏向电极，其中所述偏压用以修改所述第一离子束及所述第二离子束中离子的入射平均角及围绕所述入射平均角的入射角范围其中至少一个。
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