[发明专利]单片气体分配歧管及多种建构技术及其使用案例有效

专利信息
申请号: 201580056443.5 申请日: 2015-10-16
公开(公告)号: CN107075670B 公开(公告)日: 2019-11-15
发明(设计)人: 安德鲁·C·李;迈克尔·C·凯洛格;克里斯多夫·J·佩纳;约翰·E·多尔蒂 申请(专利权)人: 朗姆研究公司
主分类号: C23C16/04 分类号: C23C16/04;C23C16/455;B24B37/04
代理公司: 31263 上海胜康律师事务所 代理人: 樊英如;张静<国际申请>=PCT/US2
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 本文提供了一种用于安装用于半导体处理装置的气体输送系统的气体供给部件的气体输送基底。基底可以包括具有主表面的多层,所述多层结合在一起以形成具有用于接收和安装第一气体供给部件、第二气体供给部件、第三气体供给部件和第四气体供给部件在外部主表面上的开口的层压件。基底可以包括延伸穿过内部主表面的第一气体通道,其至少部分地与延伸穿过不同内部主表面的第二气体通道重叠。基底可以包括第一气体管道和第二气体管道,第一气体管道包括将第一气体供给部件连接到第二气体供给部件的第一气体通道,第二气体管道包括将第三气体供给部件连接到第四气体供给部件的第二通道。还公开了用于制造气体输送基底的多种技术。
搜索关键词: 单片 气体 分配 歧管 多种 建构 技术 及其 使用 案例
【主权项】:
1.一种用于半导体处理装置的气体输送系统,所述气体输送系统包括:/n基底,其包括:/n多层,其具有主表面,所述多层结合在一起以形成层压件,其中每层的所述主表面位于该层的相对侧,结合在一起的所述层的主表面是所述层压件的内部主表面,并且未结合到所述层中的另一层的层的所述主表面是所述层压件的外部主表面;/n混合室,其从所述内部主表面的第一内部主表面延伸到具有所述第一内部主表面的层中;/n多个径向辐条通道,所述多个径向辐条通道从所述第一内部主表面延伸到具有所述第一内部主表面的层中、从所述混合室向外辐射、并具有相同的长度;/n多个第一表面安装阀接口,其中每个第一表面安装阀接口位于所述外部主表面中的一个上,包括穿过所述层中的一或多个层的相应的第一通孔、穿过所述层中的一或多个层的相应的第二通孔、相应的多个第一安装孔,并且通过所述相应的第一通孔在所述层压件内流体连接到所述径向辐条通道中的相应的一个;/n多个第二表面安装阀接口,其中每个第二表面安装阀接口位于所述外部主表面中的一个上并且包括穿过所述层中的一或多个层的相应的第三通孔、穿过所述层中的一或多个层的相应的第四通孔、以及相应的多个第二安装孔;/n多个第一气体通道,每个第一气体通道至少部分地延伸到所述内部主表面中的一个中;/n多个第二气体通道,每个第二气体通道至少部分地延伸到所述内部主表面中的一个中;/n多个第一气体管道,每个第一气体管道包括所述第一气体通道中的一个并且在所述层压件内将所述第二通孔中的一个流体连接到所述第三通孔中的一个;以及/n多个第二气体管道,每个第二气体管道包括所述第二气体通道中的一个并且在所述层压件内流体连接到所述第四通孔中的一个,其中:/n每个第一表面安装阀接口构造成经由所述第一表面安装阀接口的所述第一安装孔与相应的第一气体流部件接合,并且/n每个第二表面安装阀接口构造成经由所述第二表面安装阀接口的所述第二安装孔与相应的第二气体流部件接合。/n
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