[发明专利]用于制造在相邻底部电极之间具有增大的间隔的存储装置的方法在审
| 申请号： | 201580056390.7 | 申请日： | 2015-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN107078134A | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | 奥野润 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;H01L27/24;H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司11290 | 代理人： | 姚鹏,曹正建 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施例描述了一种用于制造在相邻底部电极之间具有增大的间隔的存储装置的方法，所述方法包括在基板上沉积多晶硅层；在所述多晶硅层上方沉积碳层；在所述碳层上图案化光致抗蚀剂层；在所述光致抗蚀剂层上沉积第一间隔层；以及在回蚀刻所述间隔层形成侧壁之后，在所述光致抗蚀剂层上执行修改的光刻处理。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 相邻 底部 电极 之间 具有 增大 间隔 存储 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造在相邻底部电极之间具有增大的间隔的存储装置的方法，其包括以下步骤：在基板上沉积多晶硅层；在所述多晶硅层上方沉积碳层；在所述碳层上图案化光致抗蚀剂层；在所述光致抗蚀剂层上沉积第一间隔层；以及在回蚀刻所述间隔层并形成侧壁之后，在所述光致抗蚀剂层上执行修改的光刻处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
