[发明专利]用于基片的射束处理的过程气体增强

摘要

描述了一种射束处理系统和操作方法。特别地，射束处理系统包括：具有喷嘴组件的射束源，该喷嘴组件被配置为通过喷嘴组件将主气体引入至真空容器，以便产生气体束，例如气体团簇束；以及可选地，电离器，其定位在喷嘴组件下游，并且被配置为电离气体束以产生经电离的气体束。射束处理系统还包括：处理室，基片定位在该处理室内以由气体束进行处理；以及辅助气体源，其中，辅助气体源包括：辅助气体供应系统，其输送辅助气体；以及辅助气体控制器，其可操作地控制注入到喷嘴组件下游的射束处理系统中的辅助气体的流动。

主权项

一种处理基片的方法，包括：在射束处理系统的处理室中提供基片；通过使主气体通过至少一个喷嘴膨胀到所述射束处理系统中来形成气体束；在所述至少一个喷嘴的出口下游的位置处将辅助气体供应到所述射束处理系统；以及独立于所述供应，将所述气体束辐照到所述基片的暴露表面上，以在所述辅助气体的存在下处理所述基片的暴露表面，其中，所述辅助气体包括含氢气体或蒸气，所述含氢气体或蒸气选自由原子氢(H)、亚稳态氢(H*)、离子氢(H+)、双原子氢(H2)、H2O、NH3、烃、卤化物、卤代甲烷、或卤代硅烷或者其中两种或更多种的任意组合组成的组。