[发明专利]多晶硅芯片回收组件和从多晶硅清洗装置中回收多晶硅芯片的方法有效
| 申请号： | 201580051962.2 | 申请日： | 2015-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN107078077B | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 詹森·L·贾尔迪纳;詹姆斯·C·蒙代尔;纳撒尼尔·C·麦肯锡-赫梅莱夫斯基 | 申请（专利权）人： | 赫姆洛克半导体运营有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/677;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 武娟;郑霞 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 多晶硅回收组件包括被配置成清洗多个多晶硅主体的多晶硅清洗装置。还包括的是在多晶硅主体的清洗期间从多晶硅主体中生成的多个多晶硅芯片，其中，多个多晶硅芯片的每一个具有从0.1mm到25.0mm的最长尺寸长度。另外包括的是被配置成将多个多晶硅芯片从多晶硅清洗装置发送到主芯片排放管道的多晶硅装置排放管道，其中，主芯片排放管道定向为以向下坡度远离多晶硅装置排放管道。另外还包括的是流体源，该流体源流体地耦合至主芯片排放管道并配置成将流体注入到主芯片排放管道中以将多个多晶硅芯片驱动通过主芯片排放管道。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 芯片 回收 组件 清洗 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅芯片回收组件，包括：多晶硅清洗装置，所述多晶硅清洗装置被配置成清洗多个多晶硅主体；多个多晶硅芯片，所述多个多晶硅芯片在所述多晶硅主体的清洗期间从所述多晶硅主体中生成，其中，所述多个多晶硅芯片中的每一个具有从0.1mm到25.0mm的最长尺寸长度；多晶硅装置排放管道，所述多晶硅装置排放管道被配置成将所述多个多晶硅芯片从所述多晶硅清洗装置发送到主芯片排放管道，其中，所述主芯片排放管道定向为以向下坡度远离所述多晶硅装置排放管道；以及流体源，所述流体源流体地耦合至所述主芯片排放管道，并被配置成将流体注入所述主芯片排放管道中，以将所述多个多晶硅芯片驱动通过所述主芯片排放管道。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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