[发明专利]磁阻存储器中的冗余磁性隧道结有效
| 申请号： | 201580044096.4 | 申请日： | 2015-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN106575520B | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | D·豪撒梅迪恩;J·斯劳特 | 申请（专利权）人： | 艾沃思宾技术公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 欧阳帆 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 自旋力矩磁性随机存取存储器(MRAM)中的存储器单元在每个存储器单元内包括至少两个磁性隧道结，其中，每个存储器单元只存储信息的单个数据位。即使当存储器单元内的磁性隧道结中的一个有缺陷并且不再正常运行时，与存储器单元耦接的存取电路系统也能够对存储器单元进行读取和写入。可以结合多磁性隧道结存储器单元来使用自参考和参考读取。在一些实施例中，对存储器单元的写入迫使所有磁性隧道结成为已知状态，而在其它实施例中，迫使磁性隧道结的子集处于已知状态。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 存储器 中的 冗余 磁性 隧道 | ||
【主权项】：
1.一种存取磁阻存储器单元的方法，其中所述磁阻存储器单元使用串联耦接的第一磁性隧道结和第二磁性隧道结来存储单个数据位，其中，所述第一磁性隧道结和所述第二磁性隧道结中的每个都具有相应的初始状态，所述初始状态为第一状态、第二状态和缺陷状态中的一个，所述方法包括：/n检测所述存储器单元两端的第一电阻，其中，所述第一电阻取决于所述第一磁性隧道结和所述第二磁性隧道结的初始状态；/n在检测所述第一电阻之后，引发通过所述存储器单元的电流，其中，当所述第一磁性隧道结和所述第二磁性隧道结中的至少一个处于所述第一状态时，所述电流具有足以将所述第一磁性隧道结和所述第二磁性隧道结中的至少一个从所述第一状态切换成所述第二状态的幅度；/n在引发所述电流之后，检测所述存储器单元两端的第二电阻，其中，所述第二电阻取决于在引发所述电流之后所得的所述第一磁性隧道结和所述第二磁性隧道结的状态；以及/n基于所述第一电阻和所述第二电阻之间的差异来确定存储在所述存储器单元中的所述单个数据位。/n
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