[发明专利]薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201580035556.7 | 申请日： | 2015-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN106489209B | 公开（公告）日： | 2020-03-13 |
| 发明（设计）人： | 越智元隆;高梨泰幸;三木绫;后藤裕史;钉宫敏洋 | 申请（专利权）人： | 株式会社神户制钢所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;C23C14/08;G02F1/1368;H01L21/336;H01L21/363 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张玉玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
一种薄膜晶体管，其在基板上依次具有栅极电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体薄膜、用于保护氧化物半导体薄膜的蚀刻阻挡层、源‑漏电极、和保护膜，氧化物半导体薄膜由氧化物构成，所述氧化物由作为金属元素的In、Ga及Sn与O构成，所述氧化物半导体薄膜具有非晶结构，且上述蚀刻阻挡层和上述保护膜的两者或一者包含SiNx。该薄膜晶体管具有约40cm |
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| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于，在基板上依次具有栅极电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体薄膜、用于保护所述氧化物半导体薄膜的蚀刻阻挡层、源‑漏电极、和保护膜，所述氧化物半导体薄膜由氧化物构成，所述氧化物由作为金属元素的In、Ga及Sn与O构成，所述氧化物半导体薄膜具有非晶结构，且各金属元素相对于所述In、Ga及Sn的总量的原子数比满足全部下述式(1)～(3)，所述蚀刻阻挡层和所述保护膜中的两者或一者包含SiNx，0.30≤In/(In+Ga+Sn)≤0.50 …(1)0.20≤Ga/(In+Ga+Sn)≤0.30 …(2)0.25≤Sn/(In+Ga+Sn)≤0.45 …(3)。
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