[发明专利]纳米硅材料及其制造方法和二次电池的负极有效
| 申请号： | 201580027645.7 | 申请日： | 2015-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN106414326B | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 近藤刚司;杉山佑介;合田信弘;毛利敬史;大岛弘树;仲西正孝 | 申请（专利权）人： | 株式会社丰田自动织机 |
| 主分类号： | C01B33/12 | 分类号： | C01B33/12;B82Y30/00;B82Y40/00;C01B33/02;H01M4/36;H01M4/38;H01M4/48;H01M4/58 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 苗堃;金世煜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种减少了氧(O)和氯(Cl)的含量的纳米硅材料。含有氟(F)和纳米尺寸的硅微晶。因为存在氟(F)，所以抑制存在氧(O)和氯(Cl)的层的生成，抑制锂离子的移动速度的降低。另外，因存在氟(F)，相应降低氧(O)和氯(Cl)的浓度，抑制与锂离子的反应。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 材料 及其 制造 方法 二次 电池 负极 | ||
【主权项】：
1.一种负极活性物质，其特征在于，含有纳米硅材料，所述纳米硅材料含有氟和纳米尺寸的硅微晶，所述纳米硅材料的元素组成以原子比存在SiOxClyFz的关系，其中，0＜(x+y+z)≤1、x＜0.5，所述硅微晶的由X射线衍射测定结果的(111)面的衍射峰的半高宽利用谢乐公式算出的微晶尺寸为0.5nm～300nm。
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