[发明专利]整合式金属间隔垫与气隙互连有效
| 申请号： | 201580022152.4 | 申请日： | 2015-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN106537576B | 公开（公告）日： | 2019-08-27 |
| 发明（设计）人： | 任河;M·B·奈克 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/764 | 分类号： | H01L21/764 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文所述的实施例涉及形成气隙互连的方法。将金属间隔垫层共形地沉积在其上形成有心轴结构的基板上。蚀刻金属间隔垫层以形成间隔垫特征并从基板移除心轴结构。可执行多种其他电介质沉积、图案化与蚀刻步骤以期望地图案化基板上存在的材料。最终，在相邻的间隔垫特征之间形成沟槽并在沟槽上沉积盖层以在相邻的间隔垫特征之间形成气隙。为了封装目的，互连通孔可配置成接触邻近气隙的间隔垫特征中的至少一者。 | ||
| 搜索关键词： | 整合 金属 间隔 互连 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：在心轴结构上共形地沉积金属间隔垫层；蚀刻所述金属间隔垫层的至少一部分以形成间隔垫特征；移除所述心轴结构；在所述间隔垫特征上沉积电介质层；图案化所述电介质层；钝化地蚀刻相邻的间隔垫特征之间的电介质层；以及在所述间隔垫特征上非共形地沉积盖层，其中气隙形成在相邻的间隔垫特征之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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