[发明专利]用于高频开关的半导体装置、高频开关和高频模块有效
| 申请号： | 201580018707.8 | 申请日： | 2015-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN106165071B | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 仓野内厚志 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/338;H01L29/786;H01L29/812;H03K17/687;H03K17/693 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚 |
| 地址： | 日本国东*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于射频开关的半导体装置，其包含SOI衬底和栅极电极。所述SOI衬底在载体衬底上包含埋入式氧化物膜和半导体层。所述栅极电极被设置于所述半导体层上。所述半导体层包含位于所述栅极电极下方的第一区域和所述第一区域以外的第二区域。第三区域被设置于所述第二区域的至少一部分中。第四区域被设置于所述第一区域的至少一部分中。所述第四区域具有与所述第三区域的厚度不同的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 高频 开关 半导体 装置 模块 | ||
【主权项】：
一种用于射频开关的半导体装置，其包括：SOI衬底，其在载体衬底上包含埋入式氧化物膜和半导体层；以及栅极电极，其被设置于所述半导体层上，其中所述半导体层包含位于所述栅极电极下方的第一区域和所述第一区域以外的第二区域，第三区域被设置于所述第二区域的至少一部分中，并且第四区域被设置于所述第一区域的至少一部分中，所述第四区域具有与所述第三区域的厚度不同的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
