[发明专利]掺杂Ce的PZT系压电膜形成用组合物有效
| 申请号： | 201580015351.2 | 申请日： | 2015-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN106133932B | 公开（公告）日： | 2018-11-27 |
| 发明（设计）人： | 土井利浩;樱井英章;曽山信幸 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | H01L41/187 | 分类号： | H01L41/187;C01G25/00;H01L41/318 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 朴圣洁;王珍仙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的掺杂Ce的PZT系压电膜形成用组合物含有PZT系前体、二醇及聚乙烯吡咯烷酮等，所述PZT系前体含有构成复合金属氧化物的各金属原子。组合物中的金属原子比Pb:Ce:Zr:Ti满足(1.00～1.28):(0.005～0.05):(0.40～0.55):(0.60～0.45)，且以Zr与Ti的金属原子比的合计比例成为1的比例含有PZT系前体。组合物100质量％中所占的PZT系前体的浓度以氧化物浓度计为17～35质量％，组合物100质量％中的二醇的比例为16～56质量％，聚乙烯吡咯烷酮等的比例相对于PZT系前体1摩尔，以单体换算为0.01～0.25摩尔。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 ce pzt 压电 形成 组合 | ||
【主权项】：
1.一种掺杂Ce的PZT系压电膜形成用组合物，其为用于形成由掺杂Ce的复合金属氧化物所构成的PZT系压电膜的组合物，所述掺杂Ce的PZT系压电膜形成用组合物含有PZT系前体、二醇和碳原子数6以上且12以下的直链一元醇，并含有聚乙烯吡咯烷酮或聚乙二醇，所述PZT系前体含有构成所述复合金属氧化物的各金属原子，所述组合物中的金属原子比Pb:Ce:Zr:Ti满足1.00～1.28:0.005～0.05:0.40～0.55:0.60～0.45，且以所述Zr与所述Ti的金属原子比的合计比例成为1的比例含有所述PZT系前体，所述组合物100质量％中所占的所述PZT系前体的浓度以氧化物浓度计为17～35质量％，所述组合物100质量％中的所述二醇的比例为28～56质量％，所述聚乙烯吡咯烷酮或聚乙二醇的比例相对于所述PZT系前体1摩尔，以单体换算为0.01～0.25摩尔，所述组合物100质量％中的所述碳原子数6以上且12以下的直链一元醇的添加比例为0.6～10质量％。
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