[发明专利]用于将射频(RF)与直流(DC)能量耦合至一或多个公共电极的电容组件有效
申请号: | 201580014300.8 | 申请日: | 2015-03-13 |
公开(公告)号: | CN106133910B | 公开(公告)日: | 2019-09-13 |
发明(设计)人: | 卡尔·约翰逊;莱斯·沃伊洛夫斯基;劳伦斯·A·林戈尔;杰弗里·路德维希 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L21/203;H01L21/205 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本文提供耦接射频功率及直流功率至电极的电容组件及包含所述电容组件的基板支撑件的实施方式。在一些实施方式中,电容组件包含:第一导电板,以接收来自RF功率源的RF功率,第一导电板包含中心孔;至少一个电容,所述至少一个电容耦接至第一导电板并围绕中心孔;及第二导电板,第二导电板经由至少一个电容电性耦接至第一导电板,且第二导电板包含输入接嘴及至少一个输出接嘴,输入接嘴接收来自DC功率源的DC功率,至少一个输出接嘴将RF及DC功率耦接至电极。 | ||
搜索关键词: | 用于 射频 rf 直流 dc 能量 耦合 公共 电极 电容 组件 | ||
【主权项】:
1.一种用于将射频(RF)与直流(DC)功率耦合至电极的电容组件,所述电容组件包括:第一导电板,所述第一导电板用以接收来自射频(RF)功率源的射频(RF)功率,所述第一导电板包含中心孔;至少一个电容,所述至少一个电容耦接至所述第一导电板并围绕所述中心孔;及第二导电板,所述第二导电板经由所述至少一个电容耦接至所述第一导电板,所述第二导电板包含输入接嘴及至少一个输出接嘴,所述输入接嘴用以接收来自直流(DC)功率源的直流(DC)功率,所述至少一个输出接嘴用以将所述射频(RF)功率及所述直流(DC)功率耦合至电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的