[实用新型]一种用于高纯碳化硅单晶的装置有效
| 申请号： | 201520284502.1 | 申请日： | 2015-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN204625830U | 公开（公告）日： | 2015-09-09 |
| 发明（设计）人： | 宗艳民;高玉强;宋建;张红岩 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B13/20 | 分类号： | C30B13/20;C30B29/36 |
| 代理公司： | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人： | 苗峻 |
| 地址： | 250101 山东省济南市历下*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种用于高纯碳化硅单晶的装置，属于单晶生长领域。其包括生长室，其特征是：所述生长室由上密封法兰、石英管、下密封法兰组成，所述生长室的下部连接有大气隔离室，大气隔离室上设置有操作窗口，感应加热器通过支架设置在大气隔离室上生长室的两侧，大气隔离室的一侧连接有过渡室，所述过渡室内设有去除杂质的加热装置，所述大气隔离室和过渡室上均设有保持内部环境处于保护气体状态或真空状态的机构，大气隔离室的下部还设有吸尘器接口，所述大气隔离室的内部设置有滚珠丝杠，滚珠丝杠与生长室下部的下密封法兰连接。本实用新型能有效去除杂质，优化碳化硅生长环境，并且能够完成退火，有利于大尺寸碳化硅单晶生长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 高纯 碳化硅 装置 | ||
【主权项】：
一种用于高纯碳化硅单晶的装置，包括生长室(7)，其特征是：所述生长室(7)由上密封法兰(6)、石英管(5)、下密封法兰(8)组成，所述生长室(7)的下部连接有大气隔离室(1)，大气隔离室(1)上设置有操作窗口，感应加热器通过支架(3)设置在大气隔离室(1)上生长室的两侧，大气隔离室(1)的一侧连接有过渡室(11)，所述过渡室(11)内设有去除杂质的加热装置，所述大气隔离室和过渡室上均设有保持内部环境处于保护气体状态或真空状态的机构，大气隔离室(1)的下部还设有吸尘器接口(18)，所述大气隔离室的内部设置有滚珠丝杠(17)，滚珠丝杠(17)与生长室(7)下部的下密封法兰(8)连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东天岳先进材料科技有限公司，未经山东天岳先进材料科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201520284502.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：多功能植物纤维提取机
- 下一篇：一种阴极板处理设备
