[实用新型]已进行化学机械研磨工序的晶片的多步骤清洗装置有效
申请号: | 201520121856.4 | 申请日: | 2015-03-02 |
公开(公告)号: | CN204596757U | 公开(公告)日: | 2015-08-26 |
发明(设计)人: | 崔光洛;徐冈局;赵玟技;崔在英 | 申请(专利权)人: | K.C.科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 姜虎;陈英俊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本实用新型提供一种已进行化学机械研磨工序的晶片的多步骤清洗装置,包括:第1-1清洗模块,清洗已进行化学机械研磨工序的晶片;第1-2清洗模块,层叠配置于第1-1清洗模块的上侧,清洗已进行化学机械研磨工序的晶片;第2-1清洗模块,清洗在第1-1清洗模块与第1-2清洗模块中的任一个模块中已清洗的晶片;第2-2清洗模块,层叠配置于第2-1清洗模块的上侧,清洗在第1-1清洗模块与第1-2清洗模块中的任一个模块中已清洗的晶片;移动机构,使晶片移动到第1-1清洗模块与第1-2清洗模块中的至少一个模块中和第2-1清洗模块与第2-2清洗模块中的至少一个模块中,可根据异物附着于晶片的状态,及时调节清洗步骤,从而能够进行各种清洗工序。 | ||
搜索关键词: | 进行 化学 机械 研磨 工序 晶片 步骤 清洗 装置 | ||
【主权项】:
一种已进行化学机械研磨工序的晶片的多步骤清洗装置,其特征在于,包括:第1‑1清洗模块,其清洗已进行化学机械研磨工序的所述晶片;第1‑2清洗模块,其层叠配置于所述第1‑1清洗模块的上侧,清洗已进行化学机械研磨工序的所述晶片;第2‑1清洗模块,其清洗在所述第1‑1清洗模块与所述第1‑2清洗模块中的任一个模块中已进行清洗的所述晶片;第2‑2清洗模块,其层叠配置于所述第2‑1清洗模块的上侧,清洗在所述第1‑1清洗模块与所述第1‑2清洗模块中的任一个模块中已进行清洗的所述晶片;移动机构,使所述晶片移动至所述第1‑1清洗模块与所述第1‑2清洗模块中的至少一个模块中以及所述第2‑1清洗模块与所述第2‑2清洗模块中的至少一个模块中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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