[发明专利]一种高纯高密硅锆合金靶材及其制备方法

摘要

本发明涉及一种高纯高密硅锆合金靶材，所述高纯高密硅锆合金靶材按原子百分比计，合金组成为：Si 88‑98at％，Zr 2‑15at％，硼粉余量，各组分原子百分比是百分百；硅酸锆球则与硅锆原料重量配比为1:1。本发明还公开了一种高纯高密硅锆合金靶材的制备方法，其制备的硅锆合金靶材，通入气体反应溅射成膜后发现其比用纯硅靶材反应溅射成膜后的耐摩擦性能提高4‑6倍，且在其它方面的性能基本上与纯硅靶材相同，甚至更为突出，大大提高了薄膜的实用性。

主权项

1.一种高纯高密硅锆合金靶材制备方法，其特征在于：具体实施步骤如下：步骤S1：按比例将粒度若干的高纯金属硅粉和锆粉、硼粉及硅酸锆球置于超高分子聚乙烯球磨罐中球磨，制成混合粉；步骤S2：将混合均匀的混合粉过筛，然后按一定重量加入到生坯模具中，用四柱液压机压成生坯，脱模后再用研磨机破碎，如此反复循环多次，最后得到一定密度的生坯；步骤S3：将生坯置于气氛炉中，采用惰性气体进行烧结；步骤S4：停止加热，保温一定时间，冷却至200摄氏度打开炉门，降至80摄氏度时出炉；步骤S5：对烧结好后的硅、锆合金锭子再次破碎制粉过筛，得到成分均匀的混合粉；步骤S6：将步骤S5中得到的混合粉平铺置于锭子模具中，采用惰性气体，随真空热压烧结炉烧结成锭子，热压烧结的温度为800‑1200摄氏度，压力120‑200Mpa；步骤S7：将烧结完成的合金锭子加工成平面硅锆合金靶材或旋转管靶；所述高纯高密硅锆合金靶材按原子百分比计，合金组成为：Si 88‑98at％，Zr 2‑15at％，硼粉余量，各组分原子百分比是百分百；硅酸锆球则与硅锆原料重量配比为1:1。