[发明专利]具有自退火应变改进的铜层结构的形成有效
| 申请号： | 201510845121.0 | 申请日： | 2015-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN106257664B | 公开（公告）日： | 2019-01-25 |
| 发明（设计）人： | 粘耀仁;张简旭珂;洪奇成;王喻生;陈泓旭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 铜层结构包括第一铜层、第二铜层和富碳铜层。第二铜层设置在第一铜层上方。富碳铜层夹在第一铜层和第二铜层之间。富碳铜层的碳浓度大于第一铜层的碳浓度和第二铜层的碳浓度。本发明的实施例还涉及具有自退火应变改进的铜层结构的形成。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 退火 应变 改进 结构 形成 | ||
【主权项】：
1.一种铜层结构，包括：衬底；介电层，设置在所述衬底的表面上，其中，所述介电层具有导通孔和设置在所述导通孔上方并且与所述导通孔连通的沟槽，所述导通孔和所述沟槽穿过所述介电层，所述沟槽具有顺序位于所述导通孔上方的第一部分、第二部分和第三部分；第一铜层，填充所述导通孔和所述沟槽的所述第一部分；第二铜层，设置在所述第一铜层上方并且填充所述沟槽的所述第三部分；以及富碳铜层，填充所述沟槽的所述第二部分并且夹在所述第一铜层和所述第二铜层之间，其中，所述富碳铜层的碳浓度大于所述第一铜层的碳浓度和所述第二铜层的碳浓度。
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