[发明专利]静电放电保护结构及其形成方法

摘要

一种静电放电保护结构及其形成方法，静电放电保护结构的形成方法包括：提供衬底，衬底包括输入区，衬底输入区表面具有鳍部，衬底表面具有隔离层，隔离层位于部分鳍部的侧壁表面，且隔离层的表面低于鳍部顶部表面；在衬底和鳍部内形成阱区；在输入区的鳍部顶部表面形成外延层；在输入区的鳍部靠近顶部的区域内和外延层内形成漏区，漏区内具有第二类型离子；采用第一注入工艺在输入区的鳍部内和衬底内形成漏区延伸区，漏区延伸区与漏区相连接；采用第二注入工艺在输入区的衬底内形成反型区，反型区位于相邻鳍部之间、并使相邻鳍部底部的漏区延伸区相互隔离。所述静电放电保护结构的静电放电效率、且器件可靠性增强、使用寿命提高。

主权项

1.一种静电放电保护结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括输入区，所述衬底输入区表面具有鳍部，所述衬底表面具有隔离层，所述隔离层位于部分鳍部的侧壁表面，且所述隔离层的表面低于所述鳍部顶部表面；在所述衬底和鳍部内形成阱区，所述阱区内具有第一类型离子；在所述输入区的鳍部顶部表面形成外延层；在所述输入区的鳍部靠近顶部的区域内和所述外延层内形成漏区，所述漏区内具有第二类型离子；采用第一注入工艺在所述输入区的鳍部内和衬底内形成漏区延伸区，所述漏区延伸区与所述漏区相连接，所述漏区延伸区内具有第二类型离子；采用第二注入工艺在所述输入区的衬底内形成反型区，所述反型区位于相邻鳍部之间、并使相邻鳍部底部的漏区延伸区相互隔离，所述反型区内具有第一类型离子。