[发明专利]存储器结构有效
| 申请号： | 201510634732.0 | 申请日： | 2015-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN106560927B | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 陈士弘 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11556 | 分类号： | H01L27/11556;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储器结构。此种存储器结构包括一第一芯片。第一芯片具有一阵列区及一周边区。第一芯片包括一第一叠层及多个贯穿结构。第一叠层设置在周边区中。第一叠层包括交替叠层的多个导电层及多个绝缘层。贯穿结构分别包括一开口、一介电层及一通道材料。开口穿过第一叠层。介电层设置在开口的一侧壁上。通道材料设置在开口中，并覆盖介电层。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 结构 | ||
【主权项】：
1.一种存储器结构，包括：一第一芯片，具有一阵列区及一周边区，该第一芯片包括：一第一叠层，设置在该周边区中，该第一叠层包括交替叠层的多个导电层及多个绝缘层；以及多个贯穿结构，分别包括：一开口，穿过该第一叠层；一介电层，设置在该开口的一侧壁上；及一通道材料，设置在该开口中，并覆盖该介电层；以及一字线译码器，设置在该周边区中，该字线译码器包括该第一叠层及这些贯穿结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
