[发明专利]一种透明导电薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201510501833.0 | 申请日： | 2015-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN105039911B | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 刘生忠;常远程;朱学杰;邓增社;肖锋伟;田占元;訾威;魏葳;朱小宁;范瑞娟;赵炎 | 申请（专利权）人： | 陕西师范大学;陕西煤业化工技术研究院有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/14;C23C14/08;C23C14/34;C23C14/24 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 李宏德 |
| 地址： | 710119 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明一种透明导电薄膜，包括基底，在基底上沉积的透明导电薄膜，以及沉积在导电薄膜之间的缓冲层薄膜；所述的缓冲层薄膜至少沉积有一层。一种透明导电薄膜的制备方法，包括如下步骤，步骤1，在经过预处理的基底上沉积第一层透明导电薄膜层；步骤2，然后沉积一层厚度不超过100纳米的缓冲层薄膜；步骤3，在缓冲层薄膜上沉积一层透明导电薄膜层；步骤4，重复步骤2和3达到需要的缓冲层薄膜层数，制备得到透明导电薄膜。本发明通过沉积多层的透明导电薄膜层，并在相邻的透明导电薄膜层之间分别添加缓冲层薄膜以制备透明导电薄膜，利用缓冲层薄膜的廉价制备低价的透明导电薄膜。不仅提高其电学性能和光学性能，而且成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 透明 导电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种透明导电薄膜，其特征在于，包括基底，在基底上沉积的透明导电薄膜，以及沉积在导电薄膜之间的缓冲层薄膜；所述的缓冲层薄膜至少沉积有一层；第一层透明导电薄膜层的厚度为500～2000纳米，其余透明导电层的厚度为10～100纳米；每层缓冲层薄膜的厚度不大于100纳米，每层缓冲层薄膜的厚度为0～30纳米。
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