[发明专利]一种气相沉积制备改性硅基负极材料的方法在审

专利信息
申请号: 201510415053.4 申请日: 2015-07-15
公开(公告)号: CN105047878A 公开(公告)日: 2015-11-11
发明(设计)人: 田东 申请(专利权)人: 田东
主分类号: H01M4/36 分类号: H01M4/36;H01M4/38;H01M4/04;H01M4/1395;H01M10/0525
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518000 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 一种气相沉积制备改性硅基负极材料的方法,首先将纳米硅与过渡金属化合物水溶液混合,进行加热至水分蒸发,再用还原剂将负载有过渡金属化合物的纳米硅进行还原,然后用无定形碳碳源将得到的负载有过渡金属的纳米硅进行沉积,最后利用酸性介质溶液将沉积有无定形碳的纳米硅上的过渡金属去除。本发明以过渡金属作为催化剂,使得无定形碳与纳米硅之间通过化学键复合在一起,将无定形碳沉积在纳米硅上,得到纳米硅和无定形碳的复合负极材料,无定型碳具有多孔结构,能有效缓解硅粉在充放电中产生的体积膨胀效应,同时气相沉积能均匀对每个硅粉颗粒进行包覆改性,避免了纳米硅的团聚,提高了材料的循环性和结构稳定性。
搜索关键词: 一种 沉积 制备 改性 负极 材料 方法
【主权项】:
一种气相沉积制备改性硅基负极材料的方法,其制备步骤步骤如下:A) 将纳米硅与过渡金属化合物水溶液混合,进行加热至水分蒸发,得到负载有过渡金属化合物的纳米硅;B) 用还原剂将所述步骤A)得到的负载有过渡金属化合物的纳米硅进行还原,得到负载有过渡金属的纳米硅;C) 用无定形碳碳源将所述步骤B)得到的负载有过渡金属的纳米硅进行沉积,得到沉积有无定形碳的纳米硅;D) 利用酸性介质溶液将所述步骤C)中得到的沉积有无定形碳的纳米硅上的过渡金属去除,并进行洗涤至中性,然后烘干,得到改性纳米硅负极材料。
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