[发明专利]侧墙的形成方法有效
| 申请号： | 201510369468.2 | 申请日： | 2015-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN104900514B | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 崇二敏;朱轶铮 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/311;H01L21/71 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种侧墙的形成方法，通过连续两次薄膜沉积，在硅片表面沉积一层氧化硅和一层氮化硅，然后利用干法刻蚀回刻顶层氮化硅并停在底层氧化硅上，最后利用连续两次湿法刻蚀工艺分别去除源漏区氧化硅和侧墙氮化硅，最终形成源漏区硅不受损伤的氧化硅侧墙。本发明在形成栅极侧墙的过程中，可以有效避免源漏区的衬底硅受到损伤，从而增加离子注入工艺窗口，并提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种侧墙的形成方法，其特征在于，其包括以下步骤：步骤S01，提供一形成有栅极以及栅极两侧源漏区的硅片，在所述硅片表面依次沉积氧化硅层和氮化硅层；步骤S02，利用干法刻蚀，去除所述源漏区以及栅极顶部的氮化硅层，并停留在氧化硅层上，以在所述栅极两侧形成垂直于硅片的氮化硅侧墙；步骤S03，利用湿法刻蚀，去除暴露出来的源漏区表面以及栅极顶部的氧化硅层，并采用过刻蚀方法去除所述氮化硅侧墙底部的氧化硅层；步骤S04，利用湿法刻蚀，去除所述氮化硅侧墙，以在所述栅极两侧形成垂直于硅片的氧化硅侧墙。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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