[发明专利]侧墙的形成方法有效
| 申请号： | 201510369468.2 | 申请日： | 2015-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN104900514B | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 崇二敏;朱轶铮 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/311;H01L21/71 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 方法 | ||
1.一种侧墙的形成方法，其特征在于，其包括以下步骤：
步骤S01，提供一形成有栅极以及栅极两侧源漏区的硅片，在所述硅片表面依次沉积氧化硅层和氮化硅层；
步骤S02，利用干法刻蚀，去除所述源漏区以及栅极顶部的氮化硅层，并停留在氧化硅层上，以在所述栅极两侧形成垂直于硅片的氮化硅侧墙；
步骤S03，利用湿法刻蚀，去除暴露出来的源漏区表面以及栅极顶部的氧化硅层，并采用过刻蚀方法去除所述氮化硅侧墙底部的氧化硅层；
步骤S04，利用湿法刻蚀，去除所述氮化硅侧墙，以在所述栅极两侧形成垂直于硅片的氧化硅侧墙。
2.根据权利要求1所述的侧墙的形成方法，其特征在于：步骤S02包括利用等离子体干法刻蚀对所述氮化硅层进行回刻。
3.根据权利要求2所述的侧墙的形成方法，其特征在于：步骤S02采用含有CH2F2、CHF3的混合气体作为刻蚀气体。
4.根据权利要求1所述的侧墙的形成方法，其特征在于：步骤S03包括利用低浓度氢氟酸溶液作为刻蚀液体，其中，所述低浓度氢氟酸溶液包括水和质量百分比浓度为49wt％的HF，且水和49wt％的HF的体积比为350：1～450：1。
5.根据权利要求1所述的侧墙的形成方法，其特征在于：步骤S04包括利用热磷酸溶液作为刻蚀液体。
6.根据权利要求5所述的侧墙的形成方法，其特征在于：步骤S04采用含有磷酸和水的混合液作为刻蚀液体，磷酸的质量百分比浓度为70-90％，热磷酸溶液的温度为150-180℃。
7.根据权利要求1所述的侧墙的形成方法，其特征在于：步骤S01包括利用原子层沉积工艺沉积氧化硅层以及利用化学气相沉积工艺沉积氮化硅层。
8.根据权利要求7所述的侧墙的形成方法，其特征在于：步骤S01中氧化硅层的厚度为2-5纳米，氮化硅层的厚度为5-10纳米。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510369468.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
