[发明专利]图案化方法有效
申请号: | 201510295058.8 | 申请日: | 2015-06-02 |
公开(公告)号: | CN106298507B | 公开(公告)日: | 2018-10-26 |
发明(设计)人: | 王子嵩 | 申请(专利权)人: | 力晶科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/316 | 分类号: | H01L21/316;H01L21/318;H01L21/32 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种图案化方法。提供材料层。在材料层上形成依序包括第一掩模层与第一光致抗蚀剂层的多个掩模结构。在材料层上共形地形成覆盖掩模结构的第二掩模层。在掩模结构间形成第一牺牲层。移除部分第二掩模层而暴露第一光致抗蚀剂层,以于掩模结构间形成第一U型掩模层。移除第一光致抗蚀剂层与第一牺牲层。在材料层上共形地形成具有第一表面与低于第一表面的第二表面的第三掩模层。在第三掩模层的第二表面上形成第二牺牲层。移除部分第三掩模层而暴露第一U型掩模层的突出部,以形成第二U型掩模层。以第二U型掩模层的突出部为掩模,对材料层图案化。 | ||
搜索关键词: | 图案 方法 | ||
【主权项】:
1.一种图案化方法,包括:提供材料层;在所述材料层上形成多个掩模结构,所述掩模结构由所述材料层起依序包括第一掩模层与第一光致抗蚀剂层;在所述材料层上共形地形成覆盖所述掩模结构的第二掩模层;至少于所述掩模结构之间的所述第二掩模层上形成第一牺牲层;移除部分所述第二掩模层而暴露出所述第一光致抗蚀剂层,以于相邻的所述掩模结构之间形成第一U型掩模层;移除所述第一光致抗蚀剂层与所述第一牺牲层;在所述第一掩模层与所述第一U型掩模层上共形地形成第三掩模层,其中所述第三掩模层具有第一表面与第二表面,所述第一表面高于所述第二表面;至少于所述第三掩模层的所述第二表面上形成第二牺牲层;移除部分所述第三掩模层而暴露出所述第一U型掩模层的突出部,以于所述第一U型掩模层的突出部之间形成第二U型掩模层;以及以所述第二U型掩模层的突出部为掩模,对所述材料层进行图案化,其中对所述材料层进行图案化方法包括:以所述第二U型掩模层的突出部为掩模,移除所述第一U型掩模层的突出部与所述第二牺牲层;以及移除位于所述第二U型掩模层的突出部之间的所述第二U型掩模层、未被所述第二U型掩模层的突出部覆盖的所述第一掩模层、所述第一U型掩模层与所述材料层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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