[发明专利]一种提高隧道氧化层可靠性的方法在审
| 申请号： | 201510277865.7 | 申请日： | 2015-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN104992902A | 公开（公告）日： | 2015-10-21 |
| 发明（设计）人： | 江润峰;胡荣;孙勤 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/51 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高隧道氧化层可靠性的方法，首先提供一半导体衬底；接着在衬底表面形成隧道氧化层，隧道氧化层为二氧化硅薄膜层；然后采用SPA工艺在所述隧道氧化层的上表面形成一SiOxNy层；最后对隧道氧化层进行退火。本发明提供的提高隧道氧化层可靠性的方法，由于硅氮化学键的键能大于硅氧化学键的键能，因此后续氧化工艺中，避免了隧道氧化层出现鸟嘴效应，提高了隧道氧化层的均匀度，改善了隧道氧化层的品质，使半导体器件的失效率降低，进而提高了良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 隧道 氧化 可靠性 方法 | ||
【主权项】：
一种提高隧道氧化层可靠性的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01、提供一半导体衬底；步骤S02、在衬底表面形成隧道氧化层，所述隧道氧化层为二氧化硅薄膜层；步骤S03、采用SPA工艺在所述隧道氧化层的上表面形成一SiOxNy层；步骤S04、对所述隧道氧化层进行退火。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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