[发明专利]一种GaN外延废片回收的方法有效
| 申请号： | 201510187404.0 | 申请日： | 2015-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN104779326B | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | 李培咸;孟锡俊;王旭明;陈勘;刘大为;张翼;郭迟;黄兆斌;廉大桢;李建婷;李玮霖;张阳 | 申请（专利权）人： | 西安中为光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京鼎宏元正知识产权代理事务所(普通合伙)11458 | 代理人： | 李波,武媛 |
| 地址： | 710000 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN外延废片回收的方法，包括下述步骤步骤二把所述步骤一中处理的GaN外延废片浸泡到酸溶液或碱溶液中，然后加热酸溶液或碱溶液用来腐蚀GaN外延废片表面；步骤三把所述步骤二中腐蚀完后的GaN外延废片取出，然后用清洗液清洗GaN外延废片表面。本发明所述GaN外延废片回收的方法不会抛弃大量的GaN外延废片，不仅节省了大量的生产成本，而且不会污染环境，做到了节能环保的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 外延 回收 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN外延废片回收的方法，包括：第一步骤（S10）：将GaN外延废片浸泡到腐蚀溶液中以腐蚀所述GaN外延废片表面；第二步骤（S20）：利用清洗液来清洗所述第一步骤中经过腐蚀的GaN外延废片；在所述第一步骤之前，通过研磨处理和/或高温处理对所述GaN外延废片表面进行粗化处理；所述研磨处理为通过砂纸或砂轮对GaN外延废片表面进行打磨；所述高温处理为把GaN外延废片在烤盘炉加热，加热温度大于1000℃，加热时间为0.5‑10小时；其中，在所述第二步骤（S20）中，利用清洗液来清洗所述第一步骤中经过腐蚀的GaN外延废片包括：步骤（S100）：使用硫酸和双氧水混合溶液对GaN外延废片表面进行清洗并吹干；步骤（S200）：使用稀盐酸对完成所述步骤S100的GaN外延废片表面进行清洗并吹干；步骤（S300）：使用纯水对完成所述步骤S200的GaN外延废片表面进行清洗并吹干。
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