[发明专利]具有ROM单元的非易失性存储器单元阵列

摘要

本发明公开了一种存储器装置，其包括多个ROM单元以及在所述多个ROM单元上面延伸的导电线，其中每一个ROM单元具有：形成在衬底中的间隔开的源极区和漏极区，所述源极区和漏极区两者间设有沟道区；第一栅极，其设置在所述沟道区的第一部分上面并与之绝缘；第二栅极，其设置在所述沟道区的第二部分上面并与之绝缘。所述导电线电耦接到所述ROM单元的第一子组的所述漏极区，并且不电耦接到所述ROM单元的第二子组的所述漏极区。另选地，所述ROM单元的第一子组在所述沟道区中各自包括较高电压阈值的植入物区，而所述ROM单元的第二子组在所述沟道区中各自缺少任何较高电压阈值的植入物区。

主权项

1.一种存储器装置，包括：半导体衬底；多个ROM单元，其中所述ROM单元中的每一个包括：形成在所述衬底中的间隔开的第一源极区和第一漏极区，所述第一源极区和第一漏极区两者间设有沟道区，第一栅极，其设置在所述沟道区的第一部分上面并与之绝缘，第二栅极，其设置在所述沟道区的第二部分上面并与之绝缘，导电线，其在所述多个ROM单元上面延伸；其中所述导电线电耦接到所述多个ROM单元的第一子组的所述第一漏极区，并且不电耦接到所述多个ROM单元的第二子组的所述第一漏极区；其中所述多个ROM单元的所述第一子组的所述第一漏极区中的每一个通过从所述第一漏极区延伸到所述导电线的导电触点电耦接到所述导电线；其中所述多个ROM单元的所述第二子组中的每一个还包括：绝缘材料层，其直接设置在所述第一漏极区上；以及导电触点，其在所述绝缘材料层和所述导电线之间延伸；以及多个NVM单元，其中所述NVM单元中的每一个包括：形成在所述衬底中的间隔开的第二源极区和第二漏极区，所述第二源极区和第二漏极区两者间设有第二沟道区，浮栅，其设置在所述第二沟道区的第一部分上面并与之绝缘，选择栅，其设置在所述沟道区的第二部分上面并与之绝缘。