[发明专利]相变化存储器的写入方法及读取方法有效
| 申请号： | 201510064698.8 | 申请日： | 2015-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN105989875B | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 吴昭谊;李明修 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种相变化存储器的写入方法及读取方法。相变化存储器具有多个存储单元。写入方法包括以下步骤。施加至少一加压脉冲以老化此些存储单元的至少其中之一。施加一起始脉冲至相变化存储器的所有的存储单元，以提高各个存储单元的阻抗。施加一侦测脉冲至相变化存储器的所有的存储单元以降低各个存储单元的阻抗，并侦测各个存储单元的阻抗变化速度，其中已老化的部份存储单元的阻抗变化速度大于未老化的部份存储单元的阻抗变化速度。施加一设定脉冲于已老化的部份存储单元。施加一复位脉冲于未老化的部份存储单元。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 写入 方法 读取 | ||
【主权项】：
1.一种相变化存储器的写入方法，其中该相变化存储器具有多个存储单元，该写入方法包括：施加至少一加压脉冲以老化这些存储单元的至少其中之一；施加一起始脉冲至该相变化存储器的所有的这些存储单元，以提高各该存储单元的阻抗；施加一侦测脉冲至该相变化存储器的所有的这些存储单元以降低各该存储单元的阻抗，并侦测各该存储单元的阻抗变化速度，其中已老化的部份这些存储单元具有的一阻抗变化速度大于未老化的部份这些存储单元具有的一阻抗变化速度；施加一设定脉冲于已老化的部份这些存储单元；以及施加一复位脉冲于未老化的部份这些存储单元。
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