[发明专利]倒装高压LED芯片及其制备方法

摘要

倒装高压LED芯片及其制备方法，倒装高压LED芯片包括衬底及M个芯片，每个芯片包括N型氮化镓层、发光层、P型氮化镓层、反射层、第一绝缘层、P引线电极、N引线电极及PN引线连接电极，在P引线电极和/或N引线电极和/或PN引线连接电极上形成散热凹槽；第二绝缘层覆盖于P引线电极、PN引线连接电极和N引线电极的表面上及其之间的第一绝缘层表面上，并填充满散热凹槽，第二绝缘层上形成散热孔，散热孔在水平面上的投影位于散热凹槽内；第二绝缘层沉积N焊盘及P焊盘，散热孔内填充满导热柱，导热柱与所述P焊盘及N焊盘相连。本发明在P焊盘、N焊盘与引线电极之间设置散热柱，使得LED倒装高压芯片散热速度更快，发热少。

主权项

倒装高压LED芯片，包括衬底以及位于所述衬底表面上彼此相互独立的M个芯片，M≥2，每个芯片包括依次生长于所述衬底表面上的N型氮化镓层、发光层及P型氮化镓层，所述N型氮化镓层、发光层及P型氮化镓层构成芯片的外延层，每个芯片的P型氮化镓层上形成有反射层；其特征在于，还包括：覆盖每个芯片的外延层及反射层表面的第一绝缘层；与第一芯片的反射层电连接的P引线电极；与第M芯片的N型氮化镓层电连接的N引线电极；依次将第i芯片的N型氮化镓层和第i+1芯片的反射层进行串联电连接的PN引线连接电极，i＝1，…，M‑1，每两个相互串联的芯片的PN引线连接电极彼此相互独立，在所述P引线电极和/或N引线电极和/或PN引线连接电极上形成贯穿至所述第一绝缘层表面的环形的散热凹槽；第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖于P引线电极、PN引线连接电极和N引线电极的表面上及P引线电极、PN引线连接电极和N引线电极之间的第一绝缘层表面上，并填充满所述散热凹槽，所述第二绝缘层上形成贯穿至所述P引线电极和/或N引线电极和/或PN引线连接电极表面的散热孔，所述散热孔在水平面上的投影位于所述散热凹槽内；沉积于所述第二绝缘层上并与所述N引线电极连接的N焊盘；沉积于所述第二绝缘层上并与所述P引线电极连接的P焊盘；填充满所述散热孔的导热柱，所述导热柱与所述P焊盘及N焊盘相连。