[发明专利]一种光电器件的插入层结构

摘要

基于对现有InGaN/GaN量子阱结构和AlGaN电子阻挡层结构之间的插入层(LB)的研究，本发明提供了一种新的光电器件的插入层结构设计方案。本发明中的插入层采用AlInGaN或者AlInGaN/InGaN超晶格结构生长，其中In组分＜10％,Al组分＜15％；在插入层中存在In和Al组分的渐变分布，In与Al组分的渐变规律相互独立。本发明既解决了Mg向量子阱的扩散而导致效率降低的问题，同时解决了InGaN/GaN量子阱结构和AlGaN电子阻挡层结构之间由于晶格失配导致的应力和极化电场甚至负电荷区存在的问题；且尽可能阻挡电子向P层扩散并保证空穴能够高效注入量子阱。

主权项

一种光电器件的插入层结构，插入层位于InGaN/GaN量子阱与AlGaN电子阻挡层之间，其特征在于：所述插入层采用AlInGaN或者AlInGaN/InGaN超晶格结构生长；在插入层中存在In和Al组分的渐变分布，In与Al组分的渐变规律相互独立；对于AlInGaN的插入层，In组分＜10％,Al组分＜15％；对于AlInGaN/InGaN超晶格结构的插入层，超晶格的对数为1‑300对，In组分＜10％,Al组分＜15％，其中In组分的渐变发生在超晶格的AlInGaN或者InGaN中，或者这两处都存在渐变，其中Al组分的渐变发生在超晶格的AlInGaN层中。