[发明专利]去除晶圆背面边缘薄膜的装置与方法有效
| 申请号： | 201480079603.3 | 申请日： | 2014-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN107615443B | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 张晓燕;王晖;吴均;程成;陈福发;陈福平 | 申请（专利权）人： | 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/30 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种去除晶圆背面边缘薄膜的装置与方法。该装置包括具有内槽(111)和外槽(1113)的真空吸盘(110)，外槽(1113)设置在真空吸盘(110)的外边缘，内槽(111)中设有内密封圈(1115)，外槽(1113)中设有外密封圈(1116)。当晶圆放置在真空吸盘(110)上时，真空吸盘(110)上由内密封圈(1115)包围的区域与晶圆所形成的空间抽真空以将晶圆固定在真空吸盘(110)上，真空吸盘(110)上由内密封圈(1115)与外密封圈(1116)之间的区域和晶圆所形成的空间充有压缩气体，以使真空吸盘(110)上由内密封圈(1115)与外密封圈(1116)之间的区域和晶圆所形成的空间内保持正压，以防液体进入晶圆背面的中心区域。 | ||
| 搜索关键词： | 去除 背面 边缘 薄膜 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种去除晶圆背面边缘薄膜的装置，其特征在于，包括：真空吸盘，具有内槽和外槽，内槽位于与晶圆中心区域相对应的位置，外槽位于真空吸盘的外边缘；内密封圈，设置在内槽中；以及外密封圈，设置在外槽中；其中，当晶圆放置在真空吸盘上时，真空吸盘上由内密封圈包围的区域与晶圆所形成的空间抽真空以将晶圆固定在真空吸盘上，真空吸盘上由内密封圈与外密封圈之间的区域和晶圆所形成的空间充有压缩气体，以使真空吸盘上由内密封圈与外密封圈之间的区域和晶圆所形成的空间内保持正压，以防液体进入晶圆背面的中心区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
