[发明专利]功率模块用基板、及其制造方法和功率模块有效

专利信息
申请号: 201480070571.0 申请日: 2014-12-22
公开(公告)号: CN105849895B 公开(公告)日: 2018-12-21
发明(设计)人: 西元修司;长友义幸 申请(专利权)人: 三菱综合材料株式会社
主分类号: H01L23/12 分类号: H01L23/12;H01L21/52;H01L23/36;H01L23/40
代理公司: 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人: 朴圣洁;王珍仙
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明以连结Ag层(32)与扩展到Ag层(32)的周围的电路层的暴露部分的方式,形成有细长的槽(35)。槽(35)为从Ag层(32)的表面贯穿玻璃层(31)及铝氧化皮膜(12A)而到达电路层(12)的表面(12a)的细长的凹部。槽(35)中形成有沿着槽(35)的内面(35a)而Ag层(32)的局部被延展的延长部(36)。在槽(35)的形成部分中,Ag层(32)与电路层(12)通过延长部(36)由电阻值较低的Ag直接电连接。
搜索关键词: 功率 模块 用基板 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种功率模块用基板,其具备形成于绝缘层的一个表面的电路层及形成于该电路层上的Ag烧成层,所述功率模块用基板的特征在于,所述Ag烧成层由玻璃层与形成于该玻璃层上的Ag层构成,形成有连结所述Ag层与所述电路层的槽,所述Ag层具有沿着所述槽的内面延伸到所述电路层的延长部,所述延长部使所述Ag层与所述电路层电连接,所述槽以连接所述Ag层的周边区域与扩展到所述Ag层的周围的所述电路层的暴露部分的方式形成,所述周边区域在所述Ag层中比配设有半导体元件的元件接合区域更向外侧扩展。
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