[发明专利]方法及具有包含金属源极的存储器单元的串的设备在审
| 申请号： | 201480063209.0 | 申请日： | 2014-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN105745749A | 公开（公告）日： | 2016-07-06 |
| 发明（设计）人： | 陆振宇;罗杰·W·林赛;安德鲁·比克斯勒;永军·杰夫·胡;刘海涛 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示用于形成存储器单元的串的方法、一种具有存储器单元的串的设备及一种系统。一种用于形成存储器单元的所述串的方法包括在衬底上方形成金属硅化物源极材料。对所述金属硅化物源极材料进行掺杂。存储器单元的垂直串形成在所述金属硅化物源极材料上方。半导体材料垂直形成且邻近于存储器单元的所述垂直串并耦合到所述金属硅化物源极材料。 | ||
| 搜索关键词： | 方法 具有 包含 金属 存储器 单元 设备 | ||
【主权项】：
一种方法，其包括：形成包含金属的源极材料；及在所述源极材料上方形成存储器单元的串，存储器单元的所述串包含与所述源极材料接触的沟道材料。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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