[发明专利]单晶硅制造方法

摘要

一种单晶硅制造方法，其中，在使用具备热屏蔽体的提拉装置、通过直拉法制造单晶硅时，根据相对于晶体直径的空隙率(单晶的外表面与热屏蔽体的下端开口边缘部之间的空隙部的面积/单晶的截面积)，调节导入到装置内的惰性气体在所述空隙部的流速，从而控制晶体的氧浓度。通过该制造方法，可以适宜地控制提拉单晶的氧浓度。

主权项

1.单晶硅制造方法，该单晶硅制造方法是使用在提拉中的单晶硅周围与提拉轴同轴地配置有热屏蔽体的单晶提拉装置，通过直拉法制造单晶硅的方法，其特征在于：在单晶的外表面与热屏蔽体的下端开口边缘部之间的空隙部的面积除以单晶的与提拉轴垂直的截面的面积所得的相对于晶体直径的空隙率变化的情况下，根据所述相对于晶体直径的空隙率通过调节导入到单晶提拉装置内的惰性气体在所述空隙部的流速来控制晶体中的氧浓度，其中，所述相对于晶体直径的空隙率为0.27‑0.45时，单晶与热屏蔽体之间的所述空隙部的惰性气体流速与晶体中的氧浓度具有负相关；所述相对于晶体直径的空隙率为0.72‑0.92时，所述空隙部的惰性气体流速与晶体中的氧浓度具有正相关，从而通过所述惰性气体的流速调节进行晶体中氧浓度的控制。