[发明专利]传送腔室气体净化装置、电子设备处理系统及净化方法有效
| 申请号： | 201480053795.0 | 申请日： | 2014-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN105580107B | 公开（公告）日： | 2019-02-19 |
| 发明（设计）人： | 爱德华·吴;埃里克·A·英格哈特;特雷斯·莫瑞;阿扬·马宗达;史蒂夫·S·洪坎 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/302;H01L21/677 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了传送腔室气体净化装置。该传送腔室气体净化装置具有传送腔室，该传送腔室适于容纳至少一部分的传输机械手，该传送腔室包括侧壁、腔室盖及腔室底面，其中腔室盖具有多个分散的腔室入口。多个分散的腔室入口可包括扩散元件。可在基板上方提供层状净化气体流。公开了包括多个分散的腔室入口的系统及方法、及其他很多方面。 | ||
| 搜索关键词： | 传送 气体 净化 装置 电子设备 处理 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种传送腔室气体净化装置，所述传送腔室气体净化装置包括：传送腔室，所述传送腔室适于容纳至少一部分的传送机械手，所述传送腔室至少部分地由侧壁、腔室盖及腔室底面形成，所述腔室盖具有多个分散的腔室入口，所述多个分散的腔室入口包括主要腔室入口及次要腔室入口，所述主要腔室入口的至少某些主要腔室入口定位在基板的传送路径上方，所述次要腔室入口的至少某些次要腔室入口布置在所述主要腔室入口之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
