[发明专利]基于晶片的光源参数控制有效
| 申请号： | 201480041169.X | 申请日： | 2014-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN105393169B | 公开（公告）日： | 2018-07-13 |
| 发明（设计）人： | I·拉洛维克;O·祖里塔;G·A·瑞克斯泰纳;P·阿拉格纳;S·赛;J·J·李;R·罗基斯基;江锐 | 申请（专利权）人： | 西默有限公司 |
| 主分类号： | G03B27/02 | 分类号： | G03B27/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;吕世磊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种光刻方法，包括：指示光源产生脉冲光束；横跨光刻曝光装置的晶片扫描脉冲光束，以利用脉冲光束对晶片进行曝光；在横跨晶片的脉冲光束的扫描期间，接收晶片处的脉冲光束的特性；接收针对特定脉冲光束特性的晶片的物理性质的确定值；和基于扫描期间接收到的脉冲光束特性和物理性质的接收到的确定值，在横跨晶片的扫描期间修改脉冲光束的性能参数。 | ||
| 搜索关键词： | 脉冲光束 晶片 扫描期间 横跨 物理性质 光刻曝光装置 光源参数 接收晶片 晶片扫描 性能参数 指示光源 光刻 曝光 | ||
【主权项】：
1.一种光刻方法，包括：指示光源产生脉冲光束；横跨光刻曝光装置的晶片扫描所述脉冲光束，以利用所述脉冲光束对所述晶片进行曝光；在横跨所述晶片扫描所述脉冲光束期间，接收所述晶片处的所述脉冲光束的特性；确定与接收到的脉冲光束特性有关的晶片的物理性质的值；基于扫描期间接收到的所述脉冲光束特性和所述物理性质的所确定的值，确定对所述脉冲光束的性能参数的修改；以及基于所确定的修改，在横跨所述晶片扫描所述脉冲光束期间修改所述脉冲光束的所述性能参数。
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