[发明专利]离子源及其操作方法有效
| 申请号： | 201480037223.3 | 申请日： | 2014-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN105340049B | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 科斯特尔·拜洛;大卫·P·斯波德莱;杰·舒尔;奈尔·巴森 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | H01J37/08 | 分类号： | H01J37/08;H01J27/02;H01L21/425 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 杨贝贝,臧建明 |
| 地址： | 美国麻萨诸塞*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种离子源及其操作方法。所述离子源包括离子源腔室、配置在离子源腔室中且经设置以发射电子以产生电弧等离子体的阴极、以及经设置以将电子驱除回到电弧等离子体中的斥拒极。离子源腔室及阴极可包括耐火金属。离子源腔室还包括经设置以提供卤素物种至离子源腔室的气体源。在第一组操作条件下，反应性插件与卤素物种互相起作用以在离子源腔室中得到耐火金属的第一蚀刻速率，当离子源腔室中不配置有反应性插件时，在第一组操作条件下，离子源腔室中的耐火金属的第二蚀刻速率大于第一蚀刻速率。该方案除了减少离子源表面的金属蚀刻外，使用硅做为反应性插件的实施例的优点包括没有额外的金属物种从硅插件被引入至电弧等离子体中。 | ||
| 搜索关键词： | 延长 生命 离子源 | ||
【主权项】：
一种离子源，包括：离子源腔室；阴极，配置在所述离子源腔室中且经设置以发射电子以在所述离子源腔室中产生电弧等离子体，所述离子源腔室及所述阴极包括耐火金属；斥拒极，经设置以将电子驱除回到所述电弧等离子体中；以及反应性插件，配置在所述离子源腔室中，所述反应性插件与被引入至所述离子源腔室中的卤素物种互相起作用以在所述离子源的操作期间抑制所述耐火金属的蚀刻。
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