[发明专利]振动装置有效
| 申请号： | 201480026840.3 | 申请日： | 2014-05-01 |
| 公开（公告）号： | CN105210294B | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | 西村俊雄;梅田圭一;长谷贵志;竹山佳介;岸武彦;山田宏 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H03H9/24 | 分类号： | H03H9/24;H03H9/17 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 舒艳君,李洋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供可充分减小频率温度系数TCF的绝对值的振动装置。振动装置(1)是在俯视时，具有具备长边和短边的矩形板状的形状，并利用在上述短边方向伸缩振动模式的振动装置，包含由简并半导体构成的Si层(2)、氧化硅层(3)、压电体层(5)、以及对压电体层(5)施加电压的第一、第二电极(6、7)，在将Si层的厚度的总和设为T1、将氧化硅层(3)的厚度的总和设为T2、将未设置有氧化硅层(3)的情况下的振动装置的TCF设为x(ppm/K)时，T2/(T1+T2)处于(‑0.0003x2‑0.0256x+0.0008)±0.05的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 振动 装置 | ||
【主权项】：
一种振动装置，该振动装置在俯视的情况下，具有具备长边和短边的矩形板状的形状，并在所述短边方向伸缩振动，包含由简并半导体构成的Si层、氧化硅层、压电体层、以及对所述压电体层施加电压的第一、第二电极，在将所述Si层的厚度的总和设为T1、将所述氧化硅层的厚度的总和设为T2、将未设置有所述氧化硅层的情况下的所述振动装置的频率温度系数TCF设为x时，T2/(T1+T2)处于(‑0.0003x2‑0.0256x+0.0008)±0.05的范围内，所述x的单位是ppm/K。
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