[发明专利]具有动态工作的参考电路的存储器器件

摘要

本发明涉及半导体存储器器件，其包括‑至少一个感测放大器电路(SAi)，其用于读取从存储器阵列中的所选择的存储器单元感测的数据，‑至少一个参考电路(RSAj)，每个所述参考电路(RSAj)是所述感测放大器电路(SAi)的复本并且具有输出(OUTj)，所述参考电路(RSAj)通过该输出将输出物理量发送，‑调节网络，其向每个所述感测放大器电路(SAi)和每个所述参考电路(RSAj)提供调节信号(REG)，其中，所述调节信号(REG)通过对所述输出物理量在时间和/或空间上进行平均而获得，其中，调节网路包括控制单元(CU)，其配置为将所述参考电路(RSAj)的每个输出(OUTj)的物理量与目标均值求和，所述控制单元基于所述求和而发送调节信号(REG)，所述调节信号(REG)供给到每个所述调节感测放大器电路(SAi)和每个所述参考电路(RSAj)。

主权项

一种半导体存储器器件，其包括：‑至少一个感测放大器电路(SAi)，其用于读取从存储器阵列中的所选择的存储器单元感测的数据，所述感测放大器电路包括形成交叉耦接反相器的四个晶体管，每个晶体管具有第一控制栅极和第二控制栅极，所述感测放大器电路的两个晶体管的第一栅极连接在一起并且形成第一输入/输出节点，所述感测放大器电路的另外两个晶体管的第一栅极连接在一起并且形成感测放大器电路的第二输入/输出节点，所述第二输入/输出节点连接至位线，‑至少一个参考电路(RSAj)，每个所述参考电路(RSAj)是所述感测放大器电路(SAi)的复本并且具有输出(OUTj)，所述参考电路(RSAj)通过该输出将输出物理量发送，所述参考电路包括形成交叉耦接反相器的四个晶体管，每个晶体管具有第一控制栅极和第二控制栅极，所述参考电路的两个晶体管的第一栅极连接在一起并且形成第一输入/输出节点，所述参考电路的另外两个晶体管的第一栅极连接在一起并且形成参考电路的第二输入/输出节点，‑调节网络，其向每个所述感测放大器电路(SAi)和每个所述参考电路(RSAj)提供调节信号(REG)，其中，所述调节信号(REG)通过对所述输出物理量在时间和/或多个参考电路的输出上进行平均而获得，其特征在于，调节网路包括控制单元(CU)，其配置为将每个参考电路输出(OUTj)的物理量与目标均值求和，其中，所述参考电路输出(OUTj)的所述物理量与所述目标均值以相反的符号求和，所述控制单元基于所述求和而发送调节信号(REG)，所述调节信号(REG)供给到每个所述感测放大器电路(SAi)和每个所述参考电路(RSAj)：通过将调节信号供给到每个所述感测放大器电路(SAi)和每个所述参考电路(RSAj)的第一输入/输出节点，以用作感测操作的参考，或者通过将调节信号供给到每个感测放大器电路和每个参考电路的一个或多个晶体管的第二控制栅极，利用所述调节信号来控制所述第二控制栅极。