[发明专利]碳化硅‑碳化钽复合材料和基座有效
| 申请号： | 201480007718.1 | 申请日： | 2014-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN104968634B | 公开（公告）日： | 2018-04-10 |
| 发明（设计）人： | 篠原正人 | 申请（专利权）人： | 东洋炭素株式会社 |
| 主分类号： | C04B41/89 | 分类号： | C04B41/89;C04B41/87;C23C16/458;C30B25/12;C30B29/36;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人： | 龙淳,程采 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种耐久性优异的碳化硅‑碳化钽复合材料。碳化硅‑碳化钽复合材料(1)具备表层的至少一部分由第一碳化硅层(12)构成的主体(10)、碳化钽层(20)和第二碳化硅层(13)。碳化钽层(20)配置于第一碳化硅层(12)之上。第二碳化硅层(13)配置于碳化钽层(20)和第一碳化硅层(12)之间。第二碳化硅层(13)通过X射线光电子分光法测得的C/Si组成比为1.2以上。第二碳化硅层(13)通过拉曼分光法测得的碳的G带和D带的峰强度比G/D为1.0以上。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 碳化 复合材料 基座 | ||
【主权项】：
一种碳化硅‑碳化钽复合材料，其特征在于，具备：表层的至少一部分由第一碳化硅层构成的主体；配置于所述第一碳化硅层之上的碳化钽层；和配置于所述碳化钽层和所述第一碳化硅层之间的第二碳化硅层，所述第二碳化硅层的通过X射线光电子分光法测得的C/Si组成比为1.2以上，构成所述第二碳化硅层的碳化硅的微晶直径为以下，所述第二碳化硅层是使所述碳化钽层和所述第一碳化硅层密合的密合层。
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