[实用新型]一种多层陶瓷封装同步动态随机存储器有效

专利信息
申请号: 201420773428.5 申请日: 2014-12-10
公开(公告)号: CN204271074U 公开(公告)日: 2015-04-15
发明(设计)人: 安飚;杨耀虎;杜林德;李文军;薛建国 申请(专利权)人: 天水天光半导体有限责任公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L23/31
代理公司: 甘肃省知识产权事务中心 62100 代理人: 李琪
地址: 741000*** 国省代码: 甘肃;62
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摘要: 实用新型涉及一种封装存储器,具体涉及一种多层陶瓷封装同步动态随机存储器。本实用新型包括陶瓷管壳、封盖和存储器芯片,还包括第一层陶瓷基片和第二层陶瓷基片,所述第一层陶瓷基片上设置有与存储器芯片适配的通槽,所述第二层陶瓷基片上设置有与存储器芯片的压焊点对应的通孔,第二层陶瓷基片上表面设置有金导带,并且所述金导带由第二层陶瓷基片的通孔延伸至第二层陶瓷基片的边沿;所述第一层陶瓷基片设置于陶瓷管壳上,所述存储器芯片设置于第一层陶瓷基片的通槽中,所述第二层陶瓷基片设置于第一层陶瓷基片上,所述存储器芯片的压焊点通过金导带连接于陶瓷管壳;本实用新型使用周期长,抗外力冲击,稳定性能好且不易损坏。
搜索关键词: 一种 多层 陶瓷封装 同步 动态 随机 存储器
【主权项】:
一种多层陶瓷封装同步动态随机存储器,包括陶瓷管壳(1)、封盖(2)和存储器芯片(3),其特征在于:还包括第一层陶瓷基片(4)和第二层陶瓷基片(5),所述第一层陶瓷基片(4)上设置有与存储器芯片(4)适配的通槽(6),所述第二层陶瓷基片(5) 上设置有与存储器芯片的压焊点(7)对应的通孔 ,第二层陶瓷基片(5)上表面设置有金导带(8),并且所述金导带(8)由第二层陶瓷基片(5)的通孔(9)延伸至第二层陶瓷基片(5)的边沿;所述第一层陶瓷基片(4)设置于陶瓷管壳(1)上,所述存储器芯片(3)设置于第一层陶瓷基片(4)的通槽中,所述第二层陶瓷基片(5)设置于第一层陶瓷基片(4)上,所述存储器芯片(3)的压焊点(7)通过金导带(8)连接于陶瓷管壳(1)。
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