[实用新型]去除多晶硅片制绒后表面多孔硅的装置有效

专利信息
申请号: 201420474522.0 申请日: 2014-08-22
公开(公告)号: CN204138820U 公开(公告)日: 2015-02-04
发明(设计)人: 赵卫东;赵雅;赵枫;杨冬琴;汤云鶴;王玉龙;郭盼盼;徐建鸿;龚骏 申请(专利权)人: 江苏东鋆光伏科技有限公司
主分类号: C30B33/10 分类号: C30B33/10;H01L31/18
代理公司: 江阴市同盛专利事务所(普通合伙) 32210 代理人: 唐纫兰;沈国安
地址: 214421 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型涉及一种彻底去除多晶硅片制绒后表面多孔硅的装置,包括碱槽主槽、碱槽副槽、药箱、加热装置、水冷装置、数显流量计、手动球阀。可稳定控制主槽喷淋的碱溶液的稳定,使去除多孔硅的反应在45℃的环境下进行,从而彻底去除多孔硅,且不损害碱液喷淋管寿命,提高电池片的电性能,降低生产成本,降低电池片的外观不良率。
搜索关键词: 去除 多晶 硅片 制绒后 表面 多孔 装置
【主权项】:
一种去除多晶硅片制绒后表面多孔硅的装置,它包括药箱(1)、碱槽主槽(2)和碱槽副槽(3),其特征在于所述药箱(1)的出口与碱槽副槽(3)的进口相连,且在所述药箱(1)与碱槽副槽(3)之间设置有第一加热器(4),在所述碱槽副槽(3)的出口端依次连接有第一手动球阀(5)和第一数显流量计(6),最后与碱槽主槽(2)的入口相连,在所述碱槽主槽(2)的出口端依次连接有第二手动球阀(7)和第二数显流量计(8),最后与碱槽副槽(3)的入口相连,在所述碱槽副槽(3)内增加第二加热装置(9)和水冷装置(10)。
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