[实用新型]一种薄膜晶体管、阵列基板及显示装置有效
| 申请号： | 201420391215.6 | 申请日： | 2014-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN203941905U | 公开（公告）日： | 2014-11-12 |
| 发明（设计）人： | 韩帅;张琨鹏;高鹏飞;王凤国;白妮妮;康峰;刘宇 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;黄灿 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种薄膜晶体管、阵列基板及显示装置，该薄膜晶体管包括：栅电极、栅绝缘层、半导体层、源电极及漏电极，栅电极包括位于源电极侧的第一区域，位于漏电极侧的第二区域及位于第一区域和第二区域之间的中间区域，其中，所述中间区域完全覆盖与所述中间区域对应设置的所述半导体层，所述第一区域或所述第二区域覆盖对应设置的所述半导体层的部分区域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：栅电极、栅绝缘层、半导体层、源电极及漏电极，其特征在于，所述栅电极包括：位于所述源电极侧的第一区域，位于所述漏电极侧的第二区域，以及位于所述第一区域和所述第二区域之间的中间区域，其中，所述中间区域完全覆盖与所述中间区域对应设置的所述半导体层，所述第一区域或所述第二区域覆盖对应设置的所述半导体层的部分区域。
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