[实用新型]LED芯片有效
| 申请号： | 201420371625.4 | 申请日： | 2014-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN204257705U | 公开（公告）日： | 2015-04-08 |
| 发明（设计）人： | 梁秉文 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L33/60 | 分类号： | H01L33/60 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种LED芯片，该芯片包括透明衬底以及形成于所述透明衬底上的外延层，所述外延层包括依次形成于所述透明衬底上的第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述透明衬底的下表面与发光层之间形成有光反射结构。本实用新型在已经制作好的LED芯片上，通过激光手段在半导体层或衬底的内部形成光反射结构，减少了光路的距离，提高了LED的出光效率。同时针对GaN基LED，在激光熔融或烧灼完成后，还可以在GaN层内的某些局部形成Ga金属颗粒，通过金属颗粒的作用，可以进一步提高光反射效果。 | ||
| 搜索关键词： | led 芯片 | ||
【主权项】：
一种LED芯片，其特征在于，包括透明衬底以及形成于所述透明衬底上的外延层，所述外延层包括依次形成于所述透明衬底上的第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述透明衬底的下表面与发光层之间形成有光反射结构。
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